英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

【2024年6月26日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。

600 V CoolMOS? 8 600 V QDPAK TSC

這些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封裝，不僅簡化了設(shè)計(jì)，還降低了組裝成本。在10 V電壓下，600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET的柵極電荷（Qg）較CFD7降低了18%，較 P7降低了33%。在400 V電壓下，該產(chǎn)品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%，關(guān)斷損耗（Eoss）較CFD7和P7降低了 12%，反向恢復(fù)電荷（Qrr）較CFD7降低了3%。此外，這些器件的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）更短，熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。

憑借這些特性，該系列器件能夠在LLC和ZVS 相移全橋等軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)高效率和高可靠性。它們在 PFC、TTF及其他硬開關(guān)拓?fù)渲型瑯泳哂谐錾男阅芩健Ｓ捎趦?yōu)化了RDS(on)，這些半導(dǎo)體器件擁有更高的功率密度，能使采用硅基超級結(jié)（SJ）技術(shù)的產(chǎn)品降低到7 mΩ的個(gè)位數(shù)值。

供貨情況

600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET樣品現(xiàn)已推出。